Trang in
SI2314EDS-T1-E3
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 4.9 A, 0.033 ohm, TO-236, Surface Mount
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtVISHAY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSI2314EDS-T1-E3
Mã Đặt Hàng1470104
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtVISHAY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSI2314EDS-T1-E3
Mã Đặt Hàng1470104
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id4.9A
Drain Source On State Resistance0.033ohm
Transistor Case StyleTO-236
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation750mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Sản phẩm thay thế cho SI2314EDS-T1-E3
Tìm Thấy 2 Sản Phẩm
Tổng Quan Sản Phẩm
The SI2314EDS-T1-E3 is a 20VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for LI-ion battery protection applications.
- 3000V ESD protected
- -55 to 150°C Operating temperature range
Ứng Dụng
Industrial, Power Management, Portable Devices
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4.9A
Transistor Case Style
TO-236
Rds(on) Test Voltage
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.033ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation
750mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (4)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Chờ thông báo
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.0001