Trang in
SI4564DY-T1-GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 40 V, 40 V, 10 A, 10 A, 0.0145 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
15,542 có sẵn
Bạn cần thêm?
15542 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 100+ | US$0.829 |
| 500+ | US$0.762 |
| 1000+ | US$0.694 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 100
Nhiều: 1
US$82.90
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtVISHAY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSI4564DY-T1-GE3
Mã Đặt Hàng2056723RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Transistor PolarityComplementary N and P Channel
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Continuous Drain Current Id10A
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
On Resistance Rds(on)0.0145ohm
Continuous Drain Current Id N Channel10A
Continuous Drain Current Id P Channel10A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.0145ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Drain Source On State Resistance P Channel0.0145ohm
Transistor Case StyleSOIC
Gate Source Threshold Voltage Max800mV
No. of Pins8Pins
Power Dissipation Pd3.1W
Power Dissipation N Channel3.1W
Power Dissipation P Channel3.1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (21-Jan-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
The SI4564DY-T1-GE3 is a 40V Dual N and P-channel TrenchFET® Power MOSFET.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- 100% Rg Tested
- 100% UIS Tested
Ứng Dụng
Power Management
Thông số kỹ thuật
Transistor Polarity
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Continuous Drain Current Id
10A
On Resistance Rds(on)
0.0145ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
10A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0145ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0145ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
800mV
Power Dissipation Pd
3.1W
Power Dissipation P Channel
3.1W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
10A
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOIC
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation N Channel
3.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (3)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 3 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000253