Trang in
SI4925DDY-T1-GE3
Dual MOSFET, P Channel, 30 V, 8 A
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
4,079 có sẵn
Bạn cần thêm?
4079 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 100+ | US$0.618 |
| 500+ | US$0.509 |
| 1000+ | US$0.439 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 100
Nhiều: 5
US$61.80
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtVISHAY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSI4925DDY-T1-GE3
Mã Đặt Hàng1779276RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel-
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
On Resistance Rds(on)0.024ohm
Continuous Drain Current Id N Channel-
Continuous Drain Current Id P Channel8A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel-
Rds(on) Test Voltage10V
Drain Source On State Resistance P Channel0.024ohm
Transistor Case StyleSOIC
Gate Source Threshold Voltage Max3V
No. of Pins8Pins
Power Dissipation Pd5W
Power Dissipation N Channel-
Power Dissipation P Channel5W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
The SI4925DDY-T1-GE3 is a -30V Dual P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for load switches, notebook PCs, desktop PCs and game station applications. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- 100% UIS Tested
Ứng Dụng
Power Management, Consumer Electronics, Computers & Computer Peripherals
Thông số kỹ thuật
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id
8A
On Resistance Rds(on)
0.024ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
8A
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
0.024ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
5W
Power Dissipation P Channel
5W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
-
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOIC
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation N Channel
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.0005