Trang in
SI9945BDY-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 5.3 A, 0.046 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtVISHAY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSI9945BDY-T1-GE3
Mã Đặt Hàng1794822RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
12,415 có sẵn
32,500 Bạn có thể đặt trước hàng ngay bây giờ
40 Giao hàng trong 2 ngày làm việc(Singapore có sẵn)
12375 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 100+ | US$0.687 |
| 500+ | US$0.544 |
| 1000+ | US$0.486 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 100
Nhiều: 5
US$68.70
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtVISHAY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSI9945BDY-T1-GE3
Mã Đặt Hàng1794822RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Continuous Drain Current Id5.3A
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel5.3A
On Resistance Rds(on)0.046ohm
Continuous Drain Current Id P Channel-
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.046ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleSOIC
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation Pd3.1W
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.1W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
The SI9945BDY-T1-GE3 is a 60V Dual N-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for use in LCD TV CCFL inverter and load switch applications. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
Ứng Dụng
Power Management, Consumer Electronics
Thông số kỹ thuật
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Continuous Drain Current Id
5.3A
Continuous Drain Current Id N Channel
5.3A
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
0.046ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
On Resistance Rds(on)
0.046ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
-
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation Pd
3.1W
Power Dissipation N Channel
3.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (3)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000119