Trang in
SIA975DJ-T1-GE3
Dual MOSFET, P Channel, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.07 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtVISHAY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSIA975DJ-T1-GE3
Mã Đặt Hàng2335392RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
2,666 có sẵn
Bạn cần thêm?
2666 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 100+ | US$0.411 |
| 500+ | US$0.317 |
| 1000+ | US$0.283 |
| 5000+ | US$0.248 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 100
Nhiều: 1
US$41.10
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtVISHAY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSIA975DJ-T1-GE3
Mã Đặt Hàng2335392RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel12V
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id4.5A
Drain Source Voltage Vds P Channel12V
Continuous Drain Current Id N Channel4.5A
On Resistance Rds(on)0.07ohm
Continuous Drain Current Id P Channel4.5A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.07ohm
Rds(on) Test Voltage1.8V
Drain Source On State Resistance P Channel0.07ohm
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Transistor Case StylePowerPAK SC-70
No. of Pins6Pins
Power Dissipation Pd7.8W
Power Dissipation N Channel7.8W
Power Dissipation P Channel7.8W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
SiA975DJ-T1-GE3 is a dual P-channel 12V (D-S) MOSFET. The applications include a load switch, PA switch, and battery switch for portable devices and game consoles.
- TrenchFET® power MOSFET, 100 % Rg tested
- New thermally enhanced PowerPAK® SC-70 package, small footprint area, low on-resistance
- Drain-source breakdown voltage is -12V min (VGS = 0V, ID = -250μA, TJ = 25°C)
- Gate-source threshold voltage range from -0.4 to -1V (VDS = VGS, ID = -250μA, TJ = 25°C)
- Continuous drain current is -4.5A (TJ = 150°C, TC = 25°C)
- Pulsed drain current is -15A (TA = 25°C)
- Continuous source-drain diode current is -4.5A max (TC = 25°C)
- Maximum power dissipation is 7.8W (TC = 25°C)
- Input capacitance is 1500pF typ (VDS = -6V, VGS = 0V, f = 1MHz, TC = 25°C)
- PowerPAK SC-70 package, operating junction temperature range from -55 to +150°C
Cảnh Báo
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Thông số kỹ thuật
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
12V
Continuous Drain Current Id
4.5A
Continuous Drain Current Id N Channel
4.5A
Continuous Drain Current Id P Channel
4.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.07ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.07ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SC-70
Power Dissipation Pd
7.8W
Power Dissipation P Channel
7.8W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
12V
Drain Source Voltage Vds P Channel
12V
On Resistance Rds(on)
0.07ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
1.8V
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation N Channel
7.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Germany
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Germany
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.001