Trang in
SIHH080N60E-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 32 A, 0.07 ohm, PowerPAK, Surface Mount
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
8,750 có sẵn
Bạn cần thêm?
8750 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 100+ | US$2.740 |
| 500+ | US$2.560 |
| 1000+ | US$2.560 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 100
Nhiều: 1
US$274.00
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtVISHAY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSIHH080N60E-T1-GE3
Mã Đặt Hàng3677860RL
Phạm vi sản phẩmE
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id32A
Drain Source On State Resistance0.07ohm
Transistor Case StylePowerPAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation184W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Tổng Quan Sản Phẩm
E Series power MOSFET in PowerPAK 8 x 8 package is typically used in applications like server and telecom power supplies, switch mode power supplies (SMPS), power factor correction power supplies (PFC), lighting (high-intensity discharge (HID), fluorescent ballast lighting), industrial (welding, induction heating, motor drives, battery chargers and solar (PV inverters)).
- 4th generation E series technology
- Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
- Low effective capacitance (Co(er))
- Reduced switching and conduction losses
- Avalanche energy rated (UIS)
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
32A
Transistor Case Style
PowerPAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
184W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.07ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
4Pins
Product Range
E
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Taiwan
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Taiwan
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.0005