Trang in
SIHP5N50D-GE3
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 5.3 A, 1.2 ohm, TO-220AB, Through Hole
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
179 có sẵn
Bạn cần thêm?
179 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
Có sẵn cho đến khi hết hàng
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$1.440 |
| 10+ | US$0.955 |
| 100+ | US$0.686 |
| 500+ | US$0.552 |
| 1000+ | US$0.478 |
| 5000+ | US$0.467 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$1.44
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtVISHAY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSIHP5N50D-GE3
Mã Đặt Hàng2283620
Phạm vi sản phẩmD
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id5.3A
Drain Source On State Resistance1.2ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation104W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeD
Qualification-
MSL-
SVHCLead (19-Jan-2021)
Sản phẩm thay thế cho SIHP5N50D-GE3
Tìm Thấy 3 Sản Phẩm
Tổng Quan Sản Phẩm
The SIHP5N50D-GE3 is a D series N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for consumer electronics, telecom power supply and battery charger applications.
- Low area specific ON-resistance
- Low input capacitance (CISS)
- Reduced capacitive switching losses
- High body diode ruggedness
- Avalanche energy rated (UIS)
- Simple gate drive circuitry
- Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
- Fast switching
- Halogen-free
Ứng Dụng
Industrial, Power Management, Portable Devices, Consumer Electronics
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
5.3A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
104W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (19-Jan-2021)
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
1.2ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
D
MSL
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (3)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:Lead (19-Jan-2021)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.002