Trang in
SIZF914DT-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel + Schottky, 25 V, 25 V, 60 A, 60 A, 600 µohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtVISHAY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSIZF914DT-T1-GE3
Mã Đặt Hàng2932985RL
Phạm vi sản phẩmTrenchFET Gen IV SkyFET Series
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Có thể đặt mua
Thời gian xử lý đơn hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất: 22 tuần
Thông báo với tôi khi có hàng trở lại
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 100+ | US$1.030 |
| 500+ | US$0.858 |
| 1000+ | US$0.827 |
| 5000+ | US$0.795 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 100
Nhiều: 1
US$103.00
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtVISHAY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSIZF914DT-T1-GE3
Mã Đặt Hàng2932985RL
Phạm vi sản phẩmTrenchFET Gen IV SkyFET Series
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel + Schottky
Transistor PolarityN Channel + Schottky
Drain Source Voltage Vds25V
Drain Source Voltage Vds N Channel25V
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source Voltage Vds P Channel25V
On Resistance Rds(on)600µohm
Continuous Drain Current Id N Channel60A
Continuous Drain Current Id P Channel60A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel600µohm
Drain Source On State Resistance P Channel600µohm
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StylePowerPAIR
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation Pd60W
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel60W
Power Dissipation P Channel60W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV SkyFET Series
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel + Schottky
Drain Source Voltage Vds
25V
Continuous Drain Current Id
60A
On Resistance Rds(on)
600µohm
Continuous Drain Current Id P Channel
60A
Drain Source On State Resistance N Channel
600µohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
60W
Product Range
TrenchFET Gen IV SkyFET Series
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Transistor Polarity
N Channel + Schottky
Drain Source Voltage Vds N Channel
25V
Drain Source Voltage Vds P Channel
25V
Continuous Drain Current Id N Channel
60A
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
600µohm
Transistor Case Style
PowerPAIR
Power Dissipation Pd
60W
Power Dissipation N Channel
60W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Taiwan
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Taiwan
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.003