Trang in
SQJQ510ER-T1_GE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 225 A, 1860 µohm, PowerPAK 8 x 8LR, Surface Mount
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtVISHAY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSQJQ510ER-T1_GE3
Mã Đặt Hàng4644752RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
1,250 có sẵn
Bạn cần thêm?
1250 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 100+ | US$2.400 |
| 500+ | US$2.200 |
| 1000+ | US$2.090 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 100
Nhiều: 1
US$240.00
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtVISHAY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSQJQ510ER-T1_GE3
Mã Đặt Hàng4644752RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id225A
Drain Source On State Resistance1860µohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.3V
Power Dissipation214W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Thông số kỹ thuật
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
1860µohm
Gate Source Threshold Voltage Max
3.3V
No. of Pins
8Pins
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Continuous Drain Current Id
225A
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
214W
Operating Temperature Max
175°C
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000001