Trang in
HGTD1N120BNS9A
IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pins
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtHGTD1N120BNS9ASao chép
Mã Đặt Hàng2453921
Mã sản phẩm của bạn
10,380 có sẵn
Bạn cần thêm?
2,105 Giao hàng trong 2 ngày làm việc(Singapore có sẵn)
8,275 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 5+ | US$1.270 |
| 50+ | US$1.090 |
| 100+ | US$0.906 |
| 500+ | US$0.763 |
| 1000+ | US$0.748 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 5
Nhiều: 5
US$6.35
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtHGTD1N120BNS9ASao chép
Mã Đặt Hàng2453921
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Continuous Collector Current5.3A
Collector Emitter Saturation Voltage2.5V
Power Dissipation60W
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor Case StyleTO-252AA
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Thông số kỹ thuật
Continuous Collector Current
5.3A
Power Dissipation
60W
Transistor Case Style
TO-252AA
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Collector Emitter Saturation Voltage
2.5V
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
MSL
MSL 1 - Unlimited
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 3 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Y-Ex
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.00026