Trang in
CSD19531Q5AT
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 100 A, 5300 µohm, VSON, Surface Mount
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtTEXAS INSTRUMENTS
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtCSD19531Q5ATSao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất28 tuần
Mã Đặt Hàng
Loại cuộn theo nhu cầu3009673RL
Cắt Băng3009673
Mã sản phẩm của bạn
260 có sẵn
500 Bạn có thể đặt trước hàng ngay bây giờ
260 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
Tùy Chọn Đóng Gói
| Dạng Đóng Gói | Số Lượng | Đơn giá: | Tổng |
|---|---|---|---|
| Cắt Băng | 1 | US$3.960 | US$3.96 |
| Tổng Giá | US$3.96 | ||
Cắt Băng & Loại cuộn theo nhu cầu
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$3.960 |
| 10+ | US$1.990 |
| 100+ | US$1.590 |
| 500+ | US$1.370 |
| 1000+ | US$1.350 |
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtTEXAS INSTRUMENTS
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtCSD19531Q5ATSao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất28 tuần
Mã Đặt Hàng
Loại cuộn theo nhu cầu3009673RL
Cắt Băng3009673
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance5300µohm
Transistor Case StyleVSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation125W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Tổng Quan Sản Phẩm
The CSD19531Q5AT is a NexFET™ N-channel Power MOSFET designed to minimize losses in power conversion applications. It is suitable for use in primary side telecom and secondary-side synchronous rectifier applications.
- Ultra-low Qg and Qgd
- Low thermal resistance
- Avalanche rated
- Halogen-free
- Plastic package
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
Ứng Dụng
Power Management, Motor Drive & Control, Communications & Networking, Industrial
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Transistor Case Style
VSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
5300µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Sản phẩm thay thế cho CSD19531Q5AT
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000071