Trang in
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtTEXAS INSTRUMENTS
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtCSD88537NDTSao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất27 tuần
Mã Đặt Hàng
Cắt Băng3125082RL
Cắt Băng3125082
Mã sản phẩm của bạn
Có thể đặt mua
Thông báo với tôi khi có hàng trở lại
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 100+ | US$1.150 |
| 500+ | US$0.995 |
| 1000+ | US$0.972 |
| 5000+ | US$0.936 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 100
Nhiều: 1
US$115.00
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtTEXAS INSTRUMENTS
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtCSD88537NDTSao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất27 tuần
Mã Đặt Hàng
Cắt Băng3125082RL
Cắt Băng3125082
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Continuous Drain Current Id15A
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
On Resistance Rds(on)0.0125ohm
Continuous Drain Current Id N Channel15A
Continuous Drain Current Id P Channel15A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.0125ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Drain Source On State Resistance P Channel0.0125ohm
Transistor Case StyleSOIC
Gate Source Threshold Voltage Max3V
No. of Pins8Pins
Power Dissipation Pd2.1W
Power Dissipation N Channel2.1W
Power Dissipation P Channel2.1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Tổng Quan Sản Phẩm
The CSD88537NDT is a NexFET™ dual N-channel Power MOSFET designed to serve as a half bridge in low current motor control applications.
- Ultra-low Qg and Qgd
- Avalanche rated
- Halogen-free
Ứng Dụng
Industrial, Motor Drive & Control, Power Management
Thông số kỹ thuật
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Continuous Drain Current Id
15A
On Resistance Rds(on)
0.0125ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
15A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0125ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0125ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
2.1W
Power Dissipation P Channel
2.1W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
15A
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOIC
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation N Channel
2.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Philippines
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Philippines
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.001
