Trang in
DMN2300UFL4-7
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 20 V, 2.11 A, 2.11 A, 0.195 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtDIODES INC.
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtDMN2300UFL4-7Sao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất15 tuần
Mã Đặt Hàng
Loại cuộn theo nhu cầu3944099RL
Cắt Băng3944099
Mã sản phẩm của bạn
80 có sẵn
Bạn cần thêm?
80 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
Tùy Chọn Đóng Gói
| Dạng Đóng Gói | Số Lượng | Đơn giá: | Tổng |
|---|---|---|---|
| Loại cuộn theo nhu cầu | 5 | US$0.730 | US$3.65 |
| Tổng Giá | US$3.65 | ||
Cắt Băng & Loại cuộn theo nhu cầu
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 5+ | US$0.730 |
| 10+ | US$0.330 |
| 100+ | US$0.290 |
| 500+ | US$0.229 |
| 1000+ | US$0.167 |
| 5000+ | US$0.164 |
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtDIODES INC.
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtDMN2300UFL4-7Sao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất15 tuần
Mã Đặt Hàng
Loại cuộn theo nhu cầu3944099RL
Cắt Băng3944099
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id2.11A
Continuous Drain Current Id N Channel2.11A
On Resistance Rds(on)0.151ohm
Continuous Drain Current Id P Channel2.11A
Drain Source On State Resistance N Channel0.195ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Drain Source On State Resistance P Channel-
Gate Source Threshold Voltage Max950mV
Transistor Case StyleX2-DFN1310
No. of Pins6Pins
Power Dissipation Pd1.39W
Power Dissipation N Channel1.39W
Power Dissipation P Channel1.39W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
2.11A
Continuous Drain Current Id P Channel
2.11A
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
-
Transistor Case Style
X2-DFN1310
Power Dissipation Pd
1.39W
Power Dissipation P Channel
1.39W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id
2.11A
On Resistance Rds(on)
0.151ohm
Drain Source On State Resistance N Channel
0.195ohm
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
950mV
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation N Channel
1.39W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000001