Trang in
DMC2004DWK-7
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.55 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtDIODES INC.
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtDMC2004DWK-7Sao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất43 tuần
Mã Đặt Hàng
Loại cuộn theo nhu cầu3944020RL
Cắt Băng3944020
Mã sản phẩm của bạn
498 có sẵn
Bạn cần thêm?
498 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
Tùy Chọn Đóng Gói
| Dạng Đóng Gói | Số Lượng | Đơn giá: | Tổng |
|---|---|---|---|
| Loại cuộn theo nhu cầu | 5 | US$1.090 | US$5.45 |
| Tổng Giá | US$5.45 | ||
Cắt Băng & Loại cuộn theo nhu cầu
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 5+ | US$1.090 |
| 10+ | US$0.491 |
| 100+ | US$0.434 |
| 500+ | US$0.380 |
| 1000+ | US$0.253 |
| 5000+ | US$0.248 |
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtDIODES INC.
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtDMC2004DWK-7Sao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất43 tuần
Mã Đặt Hàng
Loại cuộn theo nhu cầu3944020RL
Cắt Băng3944020
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Transistor PolarityComplementary N and P Channel
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id540mA
On Resistance Rds(on)0.4ohm
Continuous Drain Current Id N Channel540mA
Continuous Drain Current Id P Channel540mA
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.55ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.9ohm
Rds(on) Test Voltage4.5V
Transistor Case StyleSOT-363
Gate Source Threshold Voltage Max1V
No. of Pins6Pins
Power Dissipation Pd250mW
Power Dissipation N Channel250mW
Power Dissipation P Channel250mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Thông số kỹ thuật
Transistor Polarity
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
On Resistance Rds(on)
0.4ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
540mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.55ohm
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation Pd
250mW
Power Dissipation P Channel
250mW
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id
540mA
Continuous Drain Current Id N Channel
540mA
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
0.9ohm
Transistor Case Style
SOT-363
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation N Channel
250mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000001