Trang in
BUK9K18-40E,115
Dual MOSFET, N Channel
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtNEXPERIA
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtBUK9K18-40E,115Sao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất15 tuần
Mã Đặt Hàng2215816
Mã sản phẩm của bạn
1,489 có sẵn
Bạn cần thêm?
1,489 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$1.380 |
| 10+ | US$0.648 |
| 100+ | US$0.576 |
| 500+ | US$0.449 |
| 1000+ | US$0.387 |
| 5000+ | US$0.352 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$1.38
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtNEXPERIA
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtBUK9K18-40E,115Sao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất15 tuần
Mã Đặt Hàng2215816
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source On State Resistance0.0135ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleSOT-1205
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
No. of Pins8Pins
Power Dissipation38W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
BUK9K18-40E,115 is a dual logic level N-channel MOSFET in an LFPAK56D (Dual Power-SO8) package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified for the AEC Q101 standard for use in high-performance automotive applications. Typical applications include 12V automotive systems, motors, lamps and solenoid control, transmission control, ultra-high performance power switching.
- Dual MOSFET, Q101 compliant
- Repetitive avalanche rated
- Suitable for thermally demanding environments due to 175°C rating
- True logic level gate with VGS(th) rating of greater than 0.5V at 175°C
- Drain-source breakdown voltage is 36V min at ID = 250µA; VGS = 0 V; Tj= -55°C
- Drain-source on-state resistance is 17.1mohm typ at VGS = 5V; ID = 10A; Tj = 25°C
- Gate-drain charge is 3nC typical at ID = 10A; VDS = 32V; VGS = 10V;Tj = 25°C
- Rise time is 4.6ns typ at VDS = 32V, RL = 3.3ohm; VGS = 10V;RG(ext) = 5ohm; Tj = 25°C
- Fall time is 9.9ns typ at VDS = 32V, RL = 3.3ohm; VGS = 10V;RG(ext) = 5ohm; Tj = 25°C
- Source-drain voltage is 0.78V typ at IS = 10A; VGS = 0V; Tj = 25°C
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
Transistor Mounting
Surface Mount
Transistor Case Style
SOT-1205
No. of Pins
8Pins
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0135ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
Power Dissipation
38W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (3)
Sản phẩm thay thế cho BUK9K18-40E,115
Tìm Thấy 3 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Philippines
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Philippines
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Y-Ex
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000098