Trang in
DMC3032LSD-13
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 8.1 A, 8.1 A, 0.032 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtDIODES INC.
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtDMC3032LSD-13Sao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất43 tuần
Mã Đặt Hàng
Loại cuộn theo nhu cầu3944046RL
Cắt Băng3944046
Mã sản phẩm của bạn
95 có sẵn
5,000 Bạn có thể đặt trước hàng ngay bây giờ
95 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
Tùy Chọn Đóng Gói
| Dạng Đóng Gói | Số Lượng | Đơn giá: | Tổng |
|---|---|---|---|
| Loại cuộn theo nhu cầu | 5 | US$1.080 | US$5.40 |
| Tổng Giá | US$5.40 | ||
Cắt Băng & Loại cuộn theo nhu cầu
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 5+ | US$1.080 |
| 10+ | US$0.489 |
| 100+ | US$0.431 |
| 500+ | US$0.392 |
| 1000+ | US$0.272 |
| 5000+ | US$0.267 |
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtDIODES INC.
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtDMC3032LSD-13Sao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất43 tuần
Mã Đặt Hàng
Loại cuộn theo nhu cầu3944046RL
Cắt Băng3944046
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeComplementary N and P Channel
Transistor PolarityComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id8.1A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel8.1A
On Resistance Rds(on)0.023ohm
Continuous Drain Current Id P Channel8.1A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.032ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.039ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.45V
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation Pd2.5W
Power Dissipation N Channel2.5W
Power Dissipation P Channel2.5W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Thông số kỹ thuật
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id
8.1A
Continuous Drain Current Id N Channel
8.1A
Continuous Drain Current Id P Channel
8.1A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.032ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation Pd
2.5W
Power Dissipation P Channel
2.5W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
Transistor Polarity
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
On Resistance Rds(on)
0.023ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
0.039ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
1.45V
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation N Channel
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:United States
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:United States
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000001