Trang in
STY60NM50
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 60 A, 0.05 ohm, MAX-247, Through Hole
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtSTMICROELECTRONICS
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSTY60NM50Sao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất19 tuần
Mã Đặt Hàng9936068
Mã sản phẩm của bạn
297 có sẵn
Bạn cần thêm?
297 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$25.320 |
| 5+ | US$21.150 |
| 10+ | US$16.970 |
| 50+ | US$16.640 |
| 100+ | US$16.300 |
| 250+ | US$15.960 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$25.32
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtSTMICROELECTRONICS
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSTY60NM50Sao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất19 tuần
Mã Đặt Hàng9936068
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source On State Resistance0.05ohm
Transistor Case StyleMAX-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation560W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
The STY60NM50 is a MDmesh™ N-channel Zener-protected Power MOSFET associates the multiple drain process with PowerMESH™ horizontal layout. The device has an outstanding low ON-resistance, impressively high dV/dt and excellent avalanche characteristics. The proprietary strip technique yields overall dynamic performance that is significantly better. It is suitable for increasing power density of high voltage converters allowing system miniaturization and higher efficiencies.
- 0.045Ω RDS (ON)
- High dV/dt and avalanche capability
- Improved ESD capability
- Low input capacitance and gate charge
- Low gate input resistance
- Tight process control
- Lowest ON-resistance
Ứng Dụng
Power Management, Industrial
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
60A
Transistor Case Style
MAX-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
560W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.05ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 3 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Y-Ex
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.00499