Trang in
DF17MR12W1M1HFB86BPSA1
Silicon Carbide MOSFET, Booster, N Channel, 50 A, 1.2 kV, 0.024 ohm, Module
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtDF17MR12W1M1HFB86BPSA1Sao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất35 tuần
Mã Đặt Hàng4694658
Phạm vi sản phẩmEasyPACK Series
Được Biết Đến NhưDF17MR12W1M1HF_B86, SP006008193
Mã sản phẩm của bạn
16 có sẵn
Bạn cần thêm?
16 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$71.820 |
| 5+ | US$67.120 |
| 10+ | US$62.420 |
| 50+ | US$59.670 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$71.82
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtDF17MR12W1M1HFB86BPSA1Sao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất35 tuần
Mã Đặt Hàng4694658
Phạm vi sản phẩmEasyPACK Series
Được Biết Đến NhưDF17MR12W1M1HF_B86, SP006008193
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
MOSFET Module ConfigurationBooster
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.024ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins21Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.15V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEasyPACK Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
DF17MR12W1M1HFB86BPSA1 is an EasyPACK™ module with CoolSiC™ Trench MOSFET and PressFIT / NTC. It is ideal for solar applications.
- Qualified for industrial applications according to the relevant tests of IEC 60747, 60749 and 60068
- Low inductive design, high current density
- PressFIT contact technology, integrated NTC temperature sensor
- Rugged mounting due to integrated mounting clamps
- Drain-source voltage is 1200V at Tvj = 25°C
- Continuous DC drain current is 50A at TH = 80°C, Tvj = 175°C, VGS = 18V
- Repetitive peak drain current is 100A (verified by design, tp limited by Tvjmax)
- Drain-source on-resistance is 16.2mohm typ at VGS = 18V, Tvj = 25°C, ID = 50A
- Total gate charge is 0.149µC typ at VDD = 800V, VGS = -3/18V, Tvj = 25°C
- Storage temperature range from -40 to 125°C
Thông số kỹ thuật
MOSFET Module Configuration
Booster
Continuous Drain Current Id
50A
Drain Source On State Resistance
0.024ohm
No. of Pins
21Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.15V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
-
Product Range
EasyPACK Series
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Germany
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Germany
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000001