CPC5602C
Power MOSFET, N Channel, 350 V, 130 mA, 14 ohm, SOT-223, Surface Mount
Thông Tin Sản Phẩm
Tổng Quan Sản Phẩm
The CPC5602C is a N-channel depletion-mode FET utilizes IXYS Integrated Circuits Division's proprietary third generation vertical DMOS process. The third generation process realizes world class, high voltage MOSFET performance in an economical silicon gate process. The vertical DMOS process yields a highly reliable device. One of the primary applications is as a linear regulator/hook switch for the LITELINK™ family of data access arrangements (DAA) devices CPC5620A, CPC5621A and CPC5622A. It has a typical ON-resistance of 8Ω, a drain-to-source voltage of 350V. As with all MOS devices, the FET structure prevents thermal runaway and thermal-induced secondary breakdown.
- Depletion-mode device offers low RDS (ON) at cold temperatures
- High input impedance
- Low input and output leakage
- PC card (PCMCIA) compatible
Ứng Dụng
Power Management, Communications & Networking, Security
Thông số kỹ thuật
N Channel
130mA
Surface Mount
2.5W
-
350V
SOT-223
-
85°C
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:United States
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
RoHS
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm