Trang in
DMG2307L
Power MOSFET, Enhancement Mode, P Channel, 30 V, 4.6 A, 0.09 ohm, SOT-23, Surface Mount
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtDIODES INC.
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtDMG2307LSao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất12 tuần
Mã Đặt Hàng
Loại cuộn theo nhu cầu2061518RL
Cắt Băng2061518
Mã sản phẩm của bạn
16,865 có sẵn
Bạn cần thêm?
16,865 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
Tùy Chọn Đóng Gói
| Dạng Đóng Gói | Số Lượng | Đơn giá: | Tổng |
|---|---|---|---|
| Cắt Băng | 5 | US$0.291 | US$1.45 |
| Tổng Giá | US$1.45 | ||
Cắt Băng & Loại cuộn theo nhu cầu
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 5+ | US$0.291 |
| 50+ | US$0.203 |
| 100+ | US$0.173 |
| 500+ | US$0.146 |
| 1500+ | US$0.126 |
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtDIODES INC.
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtDMG2307LSao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất12 tuần
Mã Đặt Hàng
Loại cuộn theo nhu cầu2061518RL
Cắt Băng2061518
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id4.6A
Drain Source On State Resistance0.09ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation760mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Tổng Quan Sản Phẩm
The DMG2307L is a P-channel enhancement-mode MOSFET with moulded plastic case and solderable matte tin annealed over copper lead-frame terminals as per MIL-STD-202 standard. It is designed to minimize the ON-state resistance RDS (ON) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
- Low ON-resistance
- Low input capacitance
- Fast switching speed
- Halogen-free, Green device
- Moisture sensitivity level 1 as per J-STD-020
- UL94V-0 Flammability rating
Ứng Dụng
Power Management, Aerospace, Defence, Military, Portable Devices
Thông số kỹ thuật
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
4.6A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
760mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.09ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 2 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000008