Trang in
DMG6968UDM-7
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 20 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.024 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtDIODES INC.
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtDMG6968UDM-7Sao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất43 tuần
Mã Đặt Hàng
Loại cuộn theo nhu cầu3944070RL
Cắt Băng3944070
Mã sản phẩm của bạn
2 có sẵn
3,000 Bạn có thể đặt trước hàng ngay bây giờ
2 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
Tùy Chọn Đóng Gói
| Dạng Đóng Gói | Số Lượng | Đơn giá: | Tổng |
|---|---|---|---|
| Loại cuộn theo nhu cầu | 5 | US$1.210 | US$6.05 |
| Tổng Giá | US$6.05 | ||
Cắt Băng & Loại cuộn theo nhu cầu
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 5+ | US$1.210 |
| 10+ | US$0.546 |
| 100+ | US$0.481 |
| 500+ | US$0.472 |
| 1000+ | US$0.462 |
| 5000+ | US$0.453 |
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtDIODES INC.
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtDMG6968UDM-7Sao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất43 tuần
Mã Đặt Hàng
Loại cuộn theo nhu cầu3944070RL
Cắt Băng3944070
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id6.5A
Continuous Drain Current Id N Channel6.5A
On Resistance Rds(on)0.017ohm
Continuous Drain Current Id P Channel6.5A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.024ohm
Rds(on) Test Voltage4.5V
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOT-26
Gate Source Threshold Voltage Max900mV
No. of Pins6Pins
Power Dissipation Pd850mW
Power Dissipation N Channel850mW
Power Dissipation P Channel850mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
6.5A
Continuous Drain Current Id P Channel
6.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.024ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
-
Gate Source Threshold Voltage Max
900mV
Power Dissipation Pd
850mW
Power Dissipation P Channel
850mW
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id
6.5A
On Resistance Rds(on)
0.017ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
SOT-26
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation N Channel
850mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000001