Trang in
DMG6968UTS-13
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 20 V, 5.2 A, 5.2 A, 0.023 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtDIODES INC.
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtDMG6968UTS-13Sao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất43 tuần
Mã Đặt Hàng
Loại cuộn theo nhu cầu3944071RL
Cắt Băng3944071
Mã sản phẩm của bạn
50 có sẵn
Bạn cần thêm?
50 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
Tùy Chọn Đóng Gói
| Dạng Đóng Gói | Số Lượng | Đơn giá: | Tổng |
|---|---|---|---|
| Loại cuộn theo nhu cầu | 5 | US$1.080 | US$5.40 |
| Tổng Giá | US$5.40 | ||
Cắt Băng & Loại cuộn theo nhu cầu
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 5+ | US$1.080 |
| 10+ | US$0.489 |
| 100+ | US$0.431 |
| 500+ | US$0.372 |
| 1000+ | US$0.254 |
| 5000+ | US$0.227 |
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtDIODES INC.
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtDMG6968UTS-13Sao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất43 tuần
Mã Đặt Hàng
Loại cuộn theo nhu cầu3944071RL
Cắt Băng3944071
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id5.2A
Continuous Drain Current Id N Channel5.2A
On Resistance Rds(on)0.018ohm
Continuous Drain Current Id P Channel5.2A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.023ohm
Rds(on) Test Voltage4.5V
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleTSSOP
Gate Source Threshold Voltage Max950mV
Power Dissipation Pd1W
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1W
Power Dissipation P Channel1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Thông số kỹ thuật
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
5.2A
Continuous Drain Current Id P Channel
5.2A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.023ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
-
Gate Source Threshold Voltage Max
950mV
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id
5.2A
On Resistance Rds(on)
0.018ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
TSSOP
Power Dissipation Pd
1W
Power Dissipation N Channel
1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:United States
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:United States
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000001