Trang in
DMHT10H032LFJ-13
Dual MOSFET, N Channel, 100 V, 6 A, 0.033 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtDIODES INC.
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtDMHT10H032LFJ-13
Mã Đặt Hàng3589313
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
2,486 có sẵn
Bạn cần thêm?
2486 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$1.720 |
| 10+ | US$1.190 |
| 100+ | US$1.150 |
| 500+ | US$1.130 |
| 1000+ | US$0.860 |
| 5000+ | US$0.735 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$1.72
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtDIODES INC.
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtDMHT10H032LFJ-13
Mã Đặt Hàng3589313
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel6A
Drain Source On State Resistance0.025ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Continuous Drain Current Id P Channel-
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Drain Source On State Resistance N Channel0.033ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Power Dissipation900mW
Transistor Case StyleDFN5045
No. of Pins12Pins
Power Dissipation N Channel900mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6A
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Drain Source On State Resistance
0.025ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
0.033ohm
Power Dissipation
900mW
No. of Pins
12Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Drain Source Voltage Vds
100V
Continuous Drain Current Id N Channel
6A
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Drain Source On State Resistance P Channel
-
Transistor Case Style
DFN5045
Power Dissipation N Channel
900mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000121