Trang in
DMN10H6D2LFDB-7
Dual MOSFET, N Channel, 100 V, 100 V, 270 mA, 270 mA, 6 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtDIODES INC.
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtDMN10H6D2LFDB-7Sao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất42 tuần
Mã Đặt Hàng
Loại cuộn theo nhu cầu3828401RL
Cắt Băng3828401
Mã sản phẩm của bạn
630 có sẵn
Bạn cần thêm?
630 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
Tùy Chọn Đóng Gói
| Dạng Đóng Gói | Số Lượng | Đơn giá: | Tổng |
|---|---|---|---|
| Loại cuộn theo nhu cầu | 5 | US$0.779 | US$3.90 |
| Tổng Giá | US$3.90 | ||
Cắt Băng & Loại cuộn theo nhu cầu
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 5+ | US$0.779 |
| 10+ | US$0.520 |
| 100+ | US$0.424 |
| 500+ | US$0.303 |
| 1000+ | US$0.182 |
| 5000+ | US$0.179 |
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtDIODES INC.
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtDMN10H6D2LFDB-7Sao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất42 tuần
Mã Đặt Hàng
Loại cuộn theo nhu cầu3828401RL
Cắt Băng3828401
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id270mA
Drain Source Voltage Vds P Channel100V
Continuous Drain Current Id N Channel270mA
On Resistance Rds(on)3.4ohm
Continuous Drain Current Id P Channel270mA
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel6ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleU-DFN2020
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation Pd1W
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel1W
Power Dissipation P Channel1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Thông số kỹ thuật
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Continuous Drain Current Id
270mA
Continuous Drain Current Id N Channel
270mA
Continuous Drain Current Id P Channel
270mA
Drain Source On State Resistance N Channel
6ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
1W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source Voltage Vds P Channel
100V
On Resistance Rds(on)
3.4ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
-
Transistor Case Style
U-DFN2020
Power Dissipation Pd
1W
Power Dissipation N Channel
1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.0001