Trang in
DMN2053UVT-7
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 20 V, 4.6 A, 4.6 A, 0.035 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtDIODES INC.
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtDMN2053UVT-7Sao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất43 tuần
Mã Đặt Hàng
Loại cuộn theo nhu cầu3944097RL
Cắt Băng3944097
Mã sản phẩm của bạn
26,542 có sẵn
6,000 Bạn có thể đặt trước hàng ngay bây giờ
26,542 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
Tùy Chọn Đóng Gói
| Dạng Đóng Gói | Số Lượng | Đơn giá: | Tổng |
|---|---|---|---|
| Loại cuộn theo nhu cầu | 5 | US$0.814 | US$4.07 |
| Tổng Giá | US$4.07 | ||
Cắt Băng & Loại cuộn theo nhu cầu
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 5+ | US$0.814 |
| 10+ | US$0.519 |
| 100+ | US$0.339 |
| 500+ | US$0.237 |
| 1000+ | US$0.152 |
| 5000+ | US$0.149 |
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtDIODES INC.
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtDMN2053UVT-7Sao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất43 tuần
Mã Đặt Hàng
Loại cuộn theo nhu cầu3944097RL
Cắt Băng3944097
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Continuous Drain Current Id4.6A
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel4.6A
On Resistance Rds(on)0.035ohm
Continuous Drain Current Id P Channel4.6A
Drain Source On State Resistance N Channel0.035ohm
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel-
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Transistor Case StyleTSOT-26
Power Dissipation Pd1.1W
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel1.1W
Power Dissipation P Channel1.1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Thông số kỹ thuật
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id
4.6A
Continuous Drain Current Id N Channel
4.6A
Continuous Drain Current Id P Channel
4.6A
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
TSOT-26
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
1.1W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
On Resistance Rds(on)
0.035ohm
Drain Source On State Resistance N Channel
0.035ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
-
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation Pd
1.1W
Power Dissipation N Channel
1.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000001