Trang in
G3R30MT12K
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 90 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247
Có thể đặt mua
Thời gian xử lý đơn hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất: 6 tuần
Thông báo với tôi khi có hàng trở lại
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$29.070 |
| 5+ | US$27.310 |
| 10+ | US$25.540 |
| 50+ | US$23.770 |
| 100+ | US$23.340 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$29.07
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
| Nhà Sản Xuất | GENESIC |
|---|---|
| Mã Số Linh Kiện Nhà Sản Xuất | G3R30MT12KSao chép |
| Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất | 6 tuần |
| Mã Đặt Hàng | 3598641 |
| Phạm vi sản phẩm | G3R |
| Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật | |
| MOSFET Module Configuration | Single |
| Channel Type | N Channel |
| Continuous Drain Current Id | 90A |
| Drain Source Voltage Vds | 1.2kV |
| Drain Source On State Resistance | 0.03ohm |
| Transistor Case Style | TO-247 |
| No. of Pins | 4Pins |
| Rds(on) Test Voltage | 15V |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 2.69V |
| Power Dissipation | 281W |
| Operating Temperature Max | 175°C |
| Product Range | G3R |
| SVHC | No SVHC (17-Dec-2015) |
Tổng Quan Sản Phẩm
G3R30MT12K is a 1200V, 30mohm, N-channel enhancement mode, silicon carbide MOSFET. Applications include solar inverters, motor drives, EV charging, high voltage DC-DC converters, switched mode power supplies, UPS, smart grid transmission and distribution, induction heating and welding.
- G3R™ (3rd generation) technology, low temperature coefficient of RDS(ON)
- Lower Q and smaller RG(INT), low device capacitances (COSS, CRSS)
- LoRing™ - electromagnetically optimized design, superior cost-performance index
- Robust body diode with low VF and low QRR, 100% avalanche (UIL) tested
- Compatible with commercial gate drivers, low conduction losses at all temperatures
- Faster and more efficient switching, lesser switching spikes and lower losses
- Reduced ringing, better power density and system efficiency
- Ease of paralleling without thermal runaway, superior robustness and system reliability
- Operating and storage temperature range from -55 to 175°C, TO-247-4 package
- Continuous forward current is 50A at Tc = 100°C, V = -5 / +15V
Thông số kỹ thuật
| MOSFET Module Configuration | Single |
|---|---|
| Continuous Drain Current Id | 90A |
| Drain Source On State Resistance | 0.03ohm |
| No. of Pins | 4Pins |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 2.69V |
| Operating Temperature Max | 175°C |
| SVHC | No SVHC (17-Dec-2015) |
| Channel Type | N Channel |
|---|---|
| Drain Source Voltage Vds | 1.2kV |
| Transistor Case Style | TO-247 |
| Rds(on) Test Voltage | 15V |
| Power Dissipation | 281W |
| Product Range | G3R |
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
| Nước xuất xứ: Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ: | United States Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện |
|---|---|
| Số Thuế Quan: | 85412900 |
| US ECCN: | EAR99 |
| EU ECCN: | NLR |
| Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS: | Có RoHS |
| Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates: | Có RoHS |
| SVHC: | No SVHC (17-Dec-2015) |
| Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm | Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm |
| Trọng lượng (kg): | .004536 |