
| Nhà Sản Xuất | INFINEON |
|---|---|
| Mã Số Linh Kiện Nhà Sản Xuất | BGA5H1BN6E6327XTSA1Sao chép |
| Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất | 22 tuần |
| Mã Đặt Hàng | Loại cuộn theo nhu cầu2888778RL Cắt Băng2888778 |
| Được Biết Đến Như | BGA 5H1BN6 E6327, SP001777994 |
| Mã sản phẩm của bạn | |
| Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật |
Bạn cần thêm?
| Dạng Đóng Gói | Số Lượng | Đơn giá: | Tổng |
|---|---|---|---|
| Cắt Băng | 1 | US$0.590 | US$0.59 |
| Tổng Giá | US$0.59 | ||
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$0.590 |
| 10+ | US$0.434 |
| 100+ | US$0.365 |
| 500+ | US$0.349 |
| 1000+ | US$0.325 |
| 2500+ | US$0.318 |
| 5000+ | US$0.276 |
Thông Tin Sản Phẩm
| Nhà Sản Xuất | INFINEON |
|---|---|
| Mã Số Linh Kiện Nhà Sản Xuất | BGA5H1BN6E6327XTSA1Sao chép |
| Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất | 22 tuần |
| Mã Đặt Hàng | Loại cuộn theo nhu cầu2888778RL Cắt Băng2888778 |
| Được Biết Đến Như | BGA 5H1BN6 E6327, SP001777994 |
| Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật | |
| Frequency Min | 2.3GHz |
| Frequency Max | 2.69GHz |
| No. of Channels | 1Channels |
| Gain | 18.1dB |
| Noise Figure Typ | 0.7dB |
| Frequency Response RF Min | 2.3GHz |
| RF IC Case Style | TSNP |
| Frequency Response RF Max | 2.69GHz |
| Gain Typ | 18.1dB |
| Third Order Output Intercept Point OIP3 Typ | - |
| Supply Voltage Min | 1.5V |
| Supply Voltage Max | 3.6V |
| IC Case / Package | TSNP |
| No. of Pins | 6Pins |
| Operating Temperature Min | -40°C |
| Operating Temperature Max | 85°C |
| Product Range | - |
| MSL | MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | No SVHC (04-Feb-2026) |
Tổng Quan Sản Phẩm
BGA5H1BN6E6327XTSA1 is a high gain, low noise amplifier for LTE high band. The LTE data rate can be significantly improved by using the low noise amplifier. The device features a single-line two-state control (Bypass- and High gain-Mode). OFF-state can be enabled by powering down VCC. The integrated bypass function increases the overall system dynamic range and leads to more flexibility in the RF front end. In high gain mode, the LNA offers the best noise figure to ensure high data rates even on the LTE cell edge. Closer to the base station the bypass mode can be activated reducing current consumption.
- Qualified for industrial applications according to the relevant tests of JEDEC47/20/22
- RF output internally matched to 50 ohm
- Low external component count
- B9HF silicon germanium technology
- Supply voltage range from 1.5 to 3.6V at TA=25°C, VCC=1.8V, VC, BP=1.8V, VC, OFF=0V, f=2300-2690MHz
- Insertion power gain is 18.1dB typ at high gain mode, f=2500MHz, VCC=1.8V
- Operating frequency range from 2300 to 2690MHz
- 8.5mA supply current typ (high gain mode, TA=25°C, VCC=1.8V, VC,BP=1.8V, VC,OFF=0V, f=2300-2690MHz)
- Ultra small TSNP-6-10 leadless package
- Ambient temperature range from -40 to 85°C
Cảnh Báo
Stresses above the maximum values listed here may cause permanent damage to the device.
Thông số kỹ thuật
| Frequency Min | 2.3GHz |
|---|---|
| No. of Channels | 1Channels |
| Noise Figure Typ | 0.7dB |
| RF IC Case Style | TSNP |
| Gain Typ | 18.1dB |
| Supply Voltage Min | 1.5V |
| IC Case / Package | TSNP |
| Operating Temperature Min | -40°C |
| Product Range | - |
| SVHC | No SVHC (04-Feb-2026) |
| Frequency Max | 2.69GHz |
|---|---|
| Gain | 18.1dB |
| Frequency Response RF Min | 2.3GHz |
| Frequency Response RF Max | 2.69GHz |
| Third Order Output Intercept Point OIP3 Typ | - |
| Supply Voltage Max | 3.6V |
| No. of Pins | 6Pins |
| Operating Temperature Max | 85°C |
| MSL | MSL 1 - Unlimited |
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
| Nước xuất xứ: Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ: | Malaysia Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện |
|---|---|
| Số Thuế Quan: | 85423390 |
| US ECCN: | EAR99 |
| EU ECCN: | NLR |
| Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS: | Có RoHS |
| Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates: | Có RoHS |
| SVHC: | No SVHC (04-Feb-2026) |
| Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm | Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm |
| Trọng lượng (kg): | .000006 |
