Trang in
F411MR12W3M1HB11BPSA1
Silicon Carbide MOSFET, FourPack, N Channel, 75 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, Module
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtF411MR12W3M1HB11BPSA1Sao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất28 tuần
Mã Đặt Hàng4694659
Phạm vi sản phẩmEasyPACK Series
Được Biết Đến NhưF4-11MR12W3M1H_B11, SP006060405
Mã sản phẩm của bạn
12 có sẵn
Bạn cần thêm?
12 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$143.480 |
| 5+ | US$141.930 |
| 10+ | US$141.770 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$143.48
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtF411MR12W3M1HB11BPSA1Sao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất28 tuần
Mã Đặt Hàng4694659
Phạm vi sản phẩmEasyPACK Series
Được Biết Đến NhưF4-11MR12W3M1H_B11, SP006060405
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
MOSFET Module ConfigurationFourPack
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id75A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.016ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins50Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.15V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEasyPACK Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
F411MR12W3M1HB11BPSA1 is an EasyPACK™ module with CoolSiC™ Trench MOSFET and PressFIT / NTC. Potential applications include EV charging, energy storage systems (ESS), solar applications, and DC/DC converters.
- Qualified for industrial applications according to the relevant tests of IEC 60747, 60749 and 60068
- Overload operation up to 175°C
- Integrated NTC temperature sensor, PressFIT contact technology
- Drain-source voltage is 1200V at Tvj = 25°C
- Continuous DC drain current is 75A at Tvj = 175°C, VGS = 18V, TH = 95°C
- Repetitive peak drain current is 150A ( verified by design, tp limited by Tvjmax)
- Drain-source on-resistance is 10.8mohm typ at VGS = 18V, Tvj = 25°C, ID = 75A
- Total gate charge is 0.223µC typ at VDD = 800V, VGS = -3/18V, Tvj = 25°C
- Drain-source leakage current is 0.045µA typ at VDS = 1200V, VGS = -3V, Tvj = 25°C
- Storage temperature range from -40 to 125°C
Thông số kỹ thuật
MOSFET Module Configuration
FourPack
Continuous Drain Current Id
75A
Drain Source On State Resistance
0.016ohm
No. of Pins
50Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.15V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
-
Product Range
EasyPACK Series
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Germany
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Germany
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000001