Trang in
FF4000UXTR33T2M1BPSA1
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 500 A, 3.3 kV, 4800 µohm, Module
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtFF4000UXTR33T2M1BPSA1Sao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất28 tuần
Mã Đặt Hàng4568148
Phạm vi sản phẩmXHP 2 Series
Được Biết Đến NhưFF4000UXTR33T2M1, SP005965418
Mã sản phẩm của bạn
11 có sẵn
3 Bạn có thể đặt trước hàng ngay bây giờ
11 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$3,053.870 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$3,053.87
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtFF4000UXTR33T2M1BPSA1Sao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất28 tuần
Mã Đặt Hàng4568148
Phạm vi sản phẩmXHP 2 Series
Được Biết Đến NhưFF4000UXTR33T2M1, SP005965418
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id500A
Drain Source Voltage Vds3.3kV
Drain Source On State Resistance4800µohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins15Pins
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max5.55V
Power Dissipation20mW
Operating Temperature Max175°C
Product RangeXHP 2 Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
FF4000UXTR33T2M1BPSA1 is an XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET half-bridge module with .XT interconnection technology for decarbonizing transportation. Applications include energy storage systems, hydrogen electrolysis, photovoltaic, and traction, high-power converters, and high-frequency switching applications.
- CoolSiC™ MOSFET 3.3KV, Integrated body diode, XHP™ 2 housing
- Energy efficiency, high power density, enhanced lifetime
- High creepage and clearance distances, AlN substrate with low thermal resistance
- AlSiC base plate for increased thermal cycling capability
- Qualified for industrial applications according to the relevant tests of IEC 60747, 60749 and 60068
- Drain-source voltage is 3300V at Tvj = 25°C
- Continuous DC drain current is 500A at Tvj = 175 °C, VGS = 15V, TC = 35°C
- Drain-source on-resistance is 3.8mohm at VGS = 15V, Tvj = 25°C, D = 500A
- AG-XHP2K33 package
- Temperature under switching conditions range from -40 to 175°C
Thông số kỹ thuật
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
500A
Drain Source On State Resistance
4800µohm
No. of Pins
15Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.55V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
3.3kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
20mW
Product Range
XHP 2 Series
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Germany
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Germany
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.790702