Trang in
FS03MR12A6MA1BBPSA1
Silicon Carbide MOSFET, SixPack, Six N Channel, 400 A, 1.2 kV, 2750 µohm, Module
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtFS03MR12A6MA1BBPSA1
Mã Đặt Hàng3773234
Phạm vi sản phẩmHybridPACK CoolSiC
Được Biết Đến NhưSP001720764, FS03MR12A6MA1B
Mã sản phẩm của bạn
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
10 có sẵn
Bạn cần thêm?
10 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$2,128.090 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$2,128.09
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtFS03MR12A6MA1BBPSA1
Mã Đặt Hàng3773234
Phạm vi sản phẩmHybridPACK CoolSiC
Được Biết Đến NhưSP001720764, FS03MR12A6MA1B
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
MOSFET Module ConfigurationSixPack
Channel TypeSix N Channel
Continuous Drain Current Id400A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance2750µohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins32Pins
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max4.4V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHybridPACK CoolSiC
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
FS03MR12A6MA1BBPSA1 is a HybridPACK™ Drive module with CoolSiC™ automotive MOSFET. It is designed for demanding applications such as automotive applications, hybrid electrical vehicles (H)EV, motor drives and commercial agriculture vehicles.
- VDSS 1200V for high-voltage applications
- Nominal drain current ID 400A
- Silicon Carbide (SiC) semiconductor for high efficiency
- Low RDS(on) minimizes conduction losses, low switching losses for faster operation
- 4.2kV DC 1sec insulation
- Low gate charge (Qg) and Crss for efficient switching
- Low inductive design less than 10nH reduces overshoot
- Operating junction temperature up to 150°C
- Compact, high-power-density design with direct-cooled PinFin base plate
- Integrated NTC sensor, PressFIT contacts
Thông số kỹ thuật
MOSFET Module Configuration
SixPack
Continuous Drain Current Id
400A
Drain Source On State Resistance
2750µohm
No. of Pins
32Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.4V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
Six N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
-
Product Range
HybridPACK CoolSiC
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Hungary
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Hungary
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.003629