Trang in
IAUC120N04S6N009ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 120 A, 750 µohm, TDSON, Surface Mount
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
11,717 có sẵn
Bạn cần thêm?
11,717 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
Tùy Chọn Đóng Gói
| Dạng Đóng Gói | Số Lượng | Đơn giá: | Tổng |
|---|---|---|---|
| Cắt Băng | 1 | US$2.910 | US$2.91 |
| Tổng Giá | US$2.91 | ||
Cắt Băng & Loại cuộn theo nhu cầu
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$2.910 |
| 10+ | US$1.920 |
| 100+ | US$1.370 |
| 500+ | US$1.160 |
| 1000+ | US$1.090 |
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIAUC120N04S6N009ATMA1Sao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất28 tuần
Mã Đặt Hàng
Loại cuộn theo nhu cầu3267762RL
Cắt Băng3267762
Phạm vi sản phẩmOptiMOS-6
Được Biết Đến NhưIAUC120N04S6N009, SP001688678
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id120A
Drain Source On State Resistance750µohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation150W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS-6
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
IAUC120N04S6N009ATMA1 is an OptiMOS™- 6 power transistor.
- OptiMOS™ - power MOSFET for automotive applications
- N-channel - enhancement mode - normal level
- AEC Q101 qualified
- 175°C operating temperature
- 100% avalanche tested
- PG-TDSON-8 package
- Drain-source breakdown voltage is 40V at GS=0V, I D= 1mA
- Drain-source on-state resistance is 0.95mohm typical at V GS=7V, I D=60A
- Continuous drain current is 120A at Tc=25°C, VGS=10V
- Operating and storage temperature range from -55 to +175°C
Cảnh Báo
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
120A
Transistor Case Style
TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
150W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
750µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS-6
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.0001