IDW40G120C5BFKSA1
Silicon Carbide Schottky Diode, thinQ, Common Cathode, 1.2 kV, 110 A, 202 nC, TO-247
720 Bạn có thể đặt trước hàng ngay bây giờ
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$15.090 |
| 5+ | US$12.350 |
| 10+ | US$9.600 |
| 50+ | US$9.370 |
| 100+ | US$9.130 |
| 250+ | US$8.950 |
Thông Tin Sản Phẩm
| Nhà Sản Xuất | INFINEON |
|---|---|
| Mã Số Linh Kiện Nhà Sản Xuất | IDW40G120C5BFKSA1Sao chép |
| Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất | 52 tuần |
| Mã Đặt Hàng | 2617416 |
| Phạm vi sản phẩm | thinQ |
| Được Biết Đến Như | IDW40G120C5B, SP001020714 |
| Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật | |
| Product Range | thinQ |
| Diode Configuration | Common Cathode |
| Repetitive Peak Reverse Voltage | 1.2kV |
| Average Forward Current | 110A |
| Total Capacitive Charge | 202nC |
| Diode Case Style | TO-247 |
| No. of Pins | 3 Pin |
| Operating Temperature Max | 175°C |
| Diode Mounting | Through Hole |
| Qualification | - |
| SVHC | No SVHC (25-Jun-2025) |
Tổng Quan Sản Phẩm
5th Generation thinQ!™ 1200V SiC schottky diode suitable for use in solar inverters, uninterruptable power supplies, motor drives and power factor correction. Benefits of using Schottky diode are system efficiency improvement over Si diodes, enabling higher frequency / increased power density solutions, system size/cost savings due to reduced heatsink requirements and smaller magnetics, reduced EMI, highest efficiency across the entire load range, robust diode operation during surge events and high reliability.
- Revolutionary semiconductor material - silicon carbide
- No reverse recovery current / no forward recovery
- Temperature independent switching behaviour
- Low forward voltage even at high operating temperature
- Tight forward voltage distribution
- Excellent thermal performance
- Extended surge current capability
- Specified dv/dt ruggedness
- Qualified according to JEDEC for target applications
Cảnh Báo
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Thông số kỹ thuật
| Product Range | thinQ |
|---|---|
| Repetitive Peak Reverse Voltage | 1.2kV |
| Total Capacitive Charge | 202nC |
| No. of Pins | 3 Pin |
| Diode Mounting | Through Hole |
| SVHC | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Diode Configuration | Common Cathode |
|---|---|
| Average Forward Current | 110A |
| Diode Case Style | TO-247 |
| Operating Temperature Max | 175°C |
| Qualification | - |
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
| Nước xuất xứ: Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ: | China Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện |
|---|---|
| Số Thuế Quan: | 85411000 |
| US ECCN: | EAR99 |
| EU ECCN: | NLR |
| Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS: | Có RoHS |
| Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates: | Có RoHS |
| SVHC: | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm | Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm |
| Trọng lượng (kg): | .008096 |