Trang in
IGLD60R190D1AUMA3
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 600 V, 10 A, 0.19 ohm, 3.2 nC, LSON, Surface Mount
Ngưng sản xuất
Thông Tin Sản Phẩm
| Nhà Sản Xuất | INFINEON |
|---|---|
| Mã Số Linh Kiện Nhà Sản Xuất | IGLD60R190D1AUMA3Sao chép |
| Mã Đặt Hàng | 3775954 |
| Phạm vi sản phẩm | CoolGaN |
| Được Biết Đến Như | SP005557217, IGLD60R190D1 |
| Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật | |
| Drain Source Voltage Vds | 600V |
| Continuous Drain Current Id | 10A |
| Drain Source On State Resistance | 0.19ohm |
| Typical Gate Charge | 3.2nC |
| Transistor Case Style | LSON |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| No. of Pins | 8Pins |
| Product Range | CoolGaN |
| Qualification | - |
| SVHC | No SVHC (21-Jan-2025) |
Sản phẩm thay thế cho IGLD60R190D1AUMA3
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Thông số kỹ thuật
| Drain Source Voltage Vds | 600V |
|---|---|
| Drain Source On State Resistance | 0.19ohm |
| Transistor Case Style | LSON |
| No. of Pins | 8Pins |
| Qualification | - |
| Continuous Drain Current Id | 10A |
|---|---|
| Typical Gate Charge | 3.2nC |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Product Range | CoolGaN |
| SVHC | No SVHC (21-Jan-2025) |
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
| Nước xuất xứ: Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ: | Philippines Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện |
|---|---|
| Số Thuế Quan: | 85412900 |
| US ECCN: | EAR99 |
| EU ECCN: | NLR |
| Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS: | Có RoHS |
| Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates: | Có RoHS |
| SVHC: | No SVHC (21-Jan-2025) |
| Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm | Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm |
| Trọng lượng (kg): | .0001 |