Trang in
IGO60R070D1AUMA2
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Surface Mount
434 có sẵn
Bạn cần thêm?
434 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
Có sẵn cho đến khi hết hàng
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 10+ | US$11.050 |
| 50+ | US$10.770 |
| 100+ | US$10.490 |
| 250+ | US$9.850 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 10
Nhiều: 1
US$110.50
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIGO60R070D1AUMA2
Mã Đặt Hàng3775930RL
Phạm vi sản phẩmCoolGaN
Được Biết Đến NhưSP005557222, IGO60R070D1
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id31A
Drain Source On State Resistance0.07ohm
Typical Gate Charge5.8nC
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins20Pins
Product RangeCoolGaN
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Thông số kỹ thuật
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.07ohm
Transistor Case Style
SOIC
No. of Pins
20Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
31A
Typical Gate Charge
5.8nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
CoolGaN
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Indonesia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Indonesia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.003591