Trang in
IGP50N60TXKSA1
IGBT, 50 A, 2 V, 333 W, 600 V, TO-220, 3 Pins
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIGP50N60TXKSA1
Mã Đặt Hàng1832355
Được Biết Đến NhưIGP50N60T, SP000683046
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
515 có sẵn
Bạn cần thêm?
515 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$4.270 |
| 10+ | US$2.800 |
| 100+ | US$2.150 |
| 500+ | US$2.040 |
| 1000+ | US$1.920 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$4.27
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIGP50N60TXKSA1
Mã Đặt Hàng1832355
Được Biết Đến NhưIGP50N60T, SP000683046
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Continuous Collector Current50A
Collector Emitter Saturation Voltage2V
Power Dissipation333W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-220
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
The IGP50N60T is a 600V Discrete IGBT Single Transistor without anti-parallel diode. TRENCHSTOP™ IGBT technology leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device due to combination of trench top-cell and filed stop concept. Combination of IGBT with soft recovery emitter controlled diode further minimizes the turn-on losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses.
- Lowest Vce (sat) drop for lower conduction losses
- Low switching losses
- Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in Vce (sat)
- Very soft, fast recovery anti-parallel emitter controlled diode
- High ruggedness, temperature stable behavior
- Low EMI emissions
- Low gate charge
- Very tight parameter distribution
- Comprehensive portfolio in 600V and 1200V for flexibility of design
- High device reliability
- ±20V Gate to emitter voltage (VGE)
- 0.45K/W IGBT thermal resistance, junction to case
- 40K/W IGBT thermal resistance, junction - ambient
Ứng Dụng
Power Management, Alternative Energy, Consumer Electronics, HVAC, Industrial
Thông số kỹ thuật
Continuous Collector Current
50A
Power Dissipation
333W
Transistor Case Style
TO-220
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Collector Emitter Saturation Voltage
2V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
MSL
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (4)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 3 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Philippines
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Philippines
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.00195