Trang in
IMBG120R060M1HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK)
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIMBG120R060M1HXTMA1Sao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất47 tuần
Mã Đặt Hàng
Loại cuộn theo nhu cầu3582463RL
Cắt Băng3582463
Phạm vi sản phẩmCoolSiC Mosfet 1200V G2
Được Biết Đến NhưIMBG120R060M1H, SP004363744
Mã sản phẩm của bạn
2,587 có sẵn
Bạn cần thêm?
2,587 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
Tùy Chọn Đóng Gói
| Dạng Đóng Gói | Số Lượng | Đơn giá: | Tổng |
|---|---|---|---|
| Cắt Băng | 1 | US$9.790 | US$9.79 |
| Tổng Giá | US$9.79 | ||
Cắt Băng & Loại cuộn theo nhu cầu
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$9.790 |
| 5+ | US$8.620 |
| 10+ | US$7.440 |
| 50+ | US$6.830 |
| 100+ | US$6.220 |
| 250+ | US$6.100 |
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIMBG120R060M1HXTMA1Sao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất47 tuần
Mã Đặt Hàng
Loại cuộn theo nhu cầu3582463RL
Cắt Băng3582463
Phạm vi sản phẩmCoolSiC Mosfet 1200V G2
Được Biết Đến NhưIMBG120R060M1H, SP004363744
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id36A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.06ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation181W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Mosfet 1200V G2
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
Cảnh Báo
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Thông số kỹ thuật
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
36A
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
181W
Product Range
CoolSiC Mosfet 1200V G2
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 4 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.001361