Trang in
IMBG40R036M2HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, TO-263
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIMBG40R036M2HXTMA1Sao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất52 tuần
Mã Đặt Hàng
Loại cuộn theo nhu cầu4538822RL
Cắt Băng4538822
Phạm vi sản phẩmCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
Được Biết Đến NhưIMBG40R036M2H, SP006064679
Mã sản phẩm của bạn
977 có sẵn
Bạn cần thêm?
977 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
Tùy Chọn Đóng Gói
| Dạng Đóng Gói | Số Lượng | Đơn giá: | Tổng |
|---|---|---|---|
| Cắt Băng | 1 | US$9.070 | US$9.07 |
| Tổng Giá | US$9.07 | ||
Cắt Băng & Loại cuộn theo nhu cầu
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$9.070 |
| 10+ | US$6.190 |
| 100+ | US$4.550 |
| 500+ | US$4.380 |
| 1000+ | US$4.200 |
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIMBG40R036M2HXTMA1Sao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất52 tuần
Mã Đặt Hàng
Loại cuộn theo nhu cầu4538822RL
Cắt Băng4538822
Phạm vi sản phẩmCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
Được Biết Đến NhưIMBG40R036M2H, SP006064679
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source Voltage Vds400V
Drain Source On State Resistance0.0457ohm
Transistor Case StyleTO-263
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation167W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
IMBG40R036M2HXTMA1 is a CoolSiC™ 400V CoolSiC™ G2 MOSFET in a 7 pin TO263 package. Typical applications include SMPS, solar PV inverters, energy storage, UPS and battery formation, class‑D audio and motor drives.
- 400V drain source voltage, 36.4mohm RDS(on), 50A drain current
- Ideal for high frequency switching and synchronous rectification
- Commutation robust fast body diode with low Qfr
- Low RDS(on) dependency on temperature
- Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V
- Recommended gate driving voltage 0V to 18V
- XT interconnection technology for best‑in‑class thermal performance
- 100% avalanche tested
- Operating junction temperature range from ‑55 to 175°C
Thông số kỹ thuật
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
50A
Drain Source On State Resistance
0.0457ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
400V
Transistor Case Style
TO-263
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
167W
Product Range
CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000001