IPB025N10N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 180 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Bạn cần thêm?
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$6.020 |
| 10+ | US$4.250 |
| 100+ | US$3.430 |
| 500+ | US$2.920 |
| 1000+ | US$2.740 |
Thông Tin Sản Phẩm
Tổng Quan Sản Phẩm
The IPB025N10N3 G is a 100V N-channel Power MOSFET that offers superior solutions for high efficiency and high power-density SMPS. Compared to other transistors, this MOSFET achieves a reduction of 30% in both RDS (on) and FOM (Figure of Merit). The OptiMOS™ MOSFET offers industry's lowest RDS (on) within the voltage classes. It is ideally suited for high frequency switching applications and optimized technology for DC-DC converters.
- Excellent switching performance
- Environmentally-friendly
- Increased efficiency
- Highest power density
- Less paralleling required
- Smallest board-space consumption
- Easy to design
Ứng Dụng
Power Management, Motor Drive & Control, Industrial, Audio
Cảnh Báo
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Thông số kỹ thuật
N Channel
180A
TO-263 (D2PAK)
10V
300W
175°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
100V
0.002ohm
Surface Mount
2.7V
7Pins
-
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Sản phẩm thay thế cho IPB025N10N3GATMA1
Tìm Thấy 4 Sản Phẩm
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
RoHS
RoHS
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm