Trang in
IPB180P04P4L02ATMA1
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 180 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIPB180P04P4L02ATMA1
Mã Đặt Hàng2443386
Được Biết Đến NhưIPB180P04P4L-02, SP000709460
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
4,866 có sẵn
Bạn cần thêm?
1593 Giao hàng trong 2 ngày làm việc(Singapore có sẵn)
3273 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
Có sẵn cho đến khi hết hàng
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$4.150 |
| 10+ | US$2.740 |
| 50+ | US$2.690 |
| 200+ | US$2.120 |
| 500+ | US$2.070 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$4.15
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIPB180P04P4L02ATMA1
Mã Đặt Hàng2443386
Được Biết Đến NhưIPB180P04P4L-02, SP000709460
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id180A
Drain Source On State Resistance2400µohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation150W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Sản phẩm thay thế cho IPB180P04P4L02ATMA1
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Tổng Quan Sản Phẩm
The IPB180P04P4L-02 is an OptiMOS™ P2 P-channel logic level enhancement mode Power Transistor feature intended for reverse battery protection, no charge pump required for high side drive and simple interface drive circuit.
- High current capability
- Lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency
- AEC-Q101 Qualified
- MSL1 up to 260°C peak reflow
- Green product
Ứng Dụng
Power Management, Motor Drive & Control, Automotive
Cảnh Báo
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Thông số kỹ thuật
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
180A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
150W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
2400µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
7Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (4)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.00181