Trang in
IPD031N03LGATMA1
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 90 A, 3100 µohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIPD031N03LGATMA1Sao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất38 tuần
Mã Đặt Hàng1775565
Được Biết Đến NhưIPD031N03L G, SP000680554
Mã sản phẩm của bạn
2,207 có sẵn
2,500 Bạn có thể đặt trước hàng ngay bây giờ
2,207 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$2.030 |
| 10+ | US$1.060 |
| 100+ | US$0.758 |
| 500+ | US$0.642 |
| 1000+ | US$0.599 |
| 5000+ | US$0.588 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$2.03
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIPD031N03LGATMA1Sao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất38 tuần
Mã Đặt Hàng1775565
Được Biết Đến NhưIPD031N03L G, SP000680554
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id90A
Drain Source On State Resistance3100µohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation94W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
The IPD031N03L G is a 30V N-channel Power MOSFET for switched mode power supplies (SMPS). OptiMOS™ 30V MOSFET sets new standards in power density and energy efficiency. This is tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behaviour as well as increased battery life.
- Fast switching MOSFET
- Increased battery lifetime
- Improved EMI behaviour making external snubber networks obsolete
- Saving space
- Reducing power losses
- Superior thermal resistance
Ứng Dụng
Power Management, Computers & Computer Peripherals, Motor Drive & Control, LED Lighting
Cảnh Báo
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
90A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
94W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
3100µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Sản phẩm thay thế cho IPD031N03LGATMA1
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000381