Trang in
IPD65R660CFDAATMA1
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 6 A, 0.594 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIPD65R660CFDAATMA1Sao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất22 tuần
Mã Đặt Hàng
Loại cuộn theo nhu cầu3227641RL
Cắt Băng3227641
Phạm vi sản phẩmCoolMOS CFDA
Được Biết Đến NhưIPD65R660CFDA, SP000928260
Mã sản phẩm của bạn
Có thể đặt mua
Thời gian xử lý đơn hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất: 22 tuần
Thông báo với tôi khi có hàng trở lại
Tùy Chọn Đóng Gói
| Dạng Đóng Gói | Số Lượng | Đơn giá: | Tổng |
|---|---|---|---|
| Cắt Băng | 1 | US$2.540 | US$2.54 |
| Tổng Giá | US$2.54 | ||
Cắt Băng & Loại cuộn theo nhu cầu
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$2.540 |
| 10+ | US$1.250 |
| 100+ | US$1.120 |
| 500+ | US$0.890 |
| 1000+ | US$0.739 |
| 5000+ | US$0.725 |
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIPD65R660CFDAATMA1Sao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất22 tuần
Mã Đặt Hàng
Loại cuộn theo nhu cầu3227641RL
Cắt Băng3227641
Phạm vi sản phẩmCoolMOS CFDA
Được Biết Đến NhưIPD65R660CFDA, SP000928260
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source On State Resistance0.594ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation62.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS CFDA
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
Cảnh Báo
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
62.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.594ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS CFDA
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.00068