Trang in
IPP018N10N5XKSA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 205 A, 1700 µohm, TO-220, Through Hole
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIPP018N10N5XKSA1Sao chép
Mã Đặt Hàng4176144
Phạm vi sản phẩmOptiMOS 5 Series
Được Biết Đến NhưSP005736885
Mã sản phẩm của bạn
Ngưng sản xuất
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIPP018N10N5XKSA1Sao chép
Mã Đặt Hàng4176144
Phạm vi sản phẩmOptiMOS 5 Series
Được Biết Đến NhưSP005736885
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id205A
Drain Source On State Resistance1700µohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.8V
Power Dissipation375W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 5 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Sản phẩm thay thế cho IPP018N10N5XKSA1
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
205A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
375W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
1700µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.8V
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS 5 Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.001