Trang in
IPP052N06L3GXKSA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 80 A, 4200 µohm, TO-220, Through Hole
Ngưng sản xuất
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIPP052N06L3GXKSA1Sao chép
Mã Đặt Hàng2709874
Phạm vi sản phẩmOptiMOS 3
Được Biết Đến NhưIPP052N06L3 G, SP000680802
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance4200µohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation115W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 3
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Sản phẩm thay thế cho IPP052N06L3GXKSA1
Tìm Thấy 5 Sản Phẩm
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
115W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
4200µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS 3
MSL
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (3)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000454