
Bạn cần thêm?
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$3.630 |
| 10+ | US$1.820 |
| 100+ | US$1.600 |
| 500+ | US$1.330 |
| 1000+ | US$1.260 |
Thông Tin Sản Phẩm
Tổng Quan Sản Phẩm
The IPP65R225C7 is a 650V CoolMOS™ C7 N-channel Power MOSFET features lower gate charge. This CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFET, designed according to the super-junction(SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The CoolMOS™ C7 combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The product portfolio provides all benefits of fast switching super-junction MOSFETs offering better efficiency, reduced gate charge, easy implementation and outstanding reliability.
- Revolutionary best-in-class RDS (ON)
- Reduced energy stored in output capacitance (EOSS)
- Space saving through use of smaller packages or reduction of parts
- Improved safety margin and suitable for both SMPS and Solar Inverter applications
- Lowest conduction losses
- Low switching losses
- Better light load efficiency
- Increasing power density
- Outstanding CoolMOS™ quality
Ứng Dụng
Industrial, Power Management, Alternative Energy, Communications & Networking
Ghi chú
For MOSFET paralleling the use of ferrite beads on the gate or separate totem poles is generally recommended.
Thông số kỹ thuật
N Channel
11A
TO-220
10V
63W
150°C
-
No SVHC (25-Jun-2025)
650V
0.199ohm
Through Hole
3.5V
3Pins
-
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Sản phẩm thay thế cho IPP65R225C7XKSA1
Tìm Thấy 3 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
RoHS
RoHS
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
