Trang in
IPT025N15NM6ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 263 A, 2400 µohm, HSOF, Surface Mount
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIPT025N15NM6ATMA1Sao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất42 tuần
Mã Đặt Hàng
Cắt Băng4555819
Cắt Băng4555819RL
Phạm vi sản phẩmOptiMOS 6 Series
Được Biết Đến NhưIPT025N15NM6, SP005918381
Mã sản phẩm của bạn
1,543 có sẵn
2,000 Bạn có thể đặt trước hàng ngay bây giờ
1,543 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$7.940 |
| 10+ | US$5.330 |
| 100+ | US$4.100 |
| 500+ | US$4.040 |
| 1000+ | US$3.560 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$7.94
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIPT025N15NM6ATMA1Sao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất42 tuần
Mã Đặt Hàng
Cắt Băng4555819
Cắt Băng4555819RL
Phạm vi sản phẩmOptiMOS 6 Series
Được Biết Đến NhưIPT025N15NM6, SP005918381
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id263A
Drain Source On State Resistance2400µohm
Transistor Case StyleHSOF
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation395W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 6 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
IPT025N15NM6ATMA1 is an OptiMOS™ 6 power ‑transistor. It is fully qualified according to JEDEC for industrial applications.
- N‑channel, normal level, very low on‑resistance RDS(on)
- Superior thermal resistance
- 100% avalanche tested
- Drain‑source breakdown voltage is 150V min at V =0V, I =1mA, Tj =25°C
- Drain‑source on‑state resistance is 1.9mohm typ at V =15V, I =120A, Tj =25°C
- Diode continuous forward current is 263A max at Tc =25°C
- Reverse transfer capacitance is 25pF typ at V =0V, V =75V, f=1MHz
- Switching charge is 38nC typ at V =75V, I =60A, V =0 to 10V
- PG‑HSOF‑8 package
- Operating and storage temperature range from -55 to 175°C
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
263A
Transistor Case Style
HSOF
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
395W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
2400µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS 6 Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000001