Trang in
IPW60R017C7XKSA1
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 109 A, 0.017 ohm, TO-247, Through Hole
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIPW60R017C7XKSA1Sao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất52 tuần
Mã Đặt Hàng2839474
Phạm vi sản phẩmCoolMOS C7
Được Biết Đến NhưIPW60R017C7, SP001313542
Mã sản phẩm của bạn
175 có sẵn
Bạn cần thêm?
175 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$22.460 |
| 5+ | US$18.160 |
| 10+ | US$13.860 |
| 50+ | US$13.590 |
| 100+ | US$13.310 |
| 250+ | US$13.030 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$22.46
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIPW60R017C7XKSA1Sao chép
Thời gian giao hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất52 tuần
Mã Đặt Hàng2839474
Phạm vi sản phẩmCoolMOS C7
Được Biết Đến NhưIPW60R017C7, SP001313542
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id109A
Drain Source On State Resistance0.017ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation446W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS C7
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
600V CoolMOS™ C7 power transistor, a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs. Designed according to the superjunction (SJ) principle suitable for use in PFC stages and PWM stages (TTF, LLC) for high power/performance SMPS e.g. computing, server, telecom, UPS and solar.
- Suitable for hard and soft switching (PFC and high performance LLC)
- Increased MOSFET dv/dt ruggedness to 120V/ns
- Increased efficiency due to best in class FOMRDS(on)*Eoss and RDS(on)*Qg
- Best in class RDS(on)/package
- Qualified for industrial grade applications according to JEDEC (J-STD20 and JESD22)
- Increased economies of scale by use in PFC and PWM topologies in the application
- Higher dv/dt limit enables faster switching leading to higher efficiency
- Enabling higher system efficiency by lower switching losses
- Increased power density solutions due to smaller packages
- Higher switching frequencies possible without loss in efficiency due to low Eoss and Qg
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
109A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
446W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.017ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS C7
MSL
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Sản phẩm thay thế cho IPW60R017C7XKSA1
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 4 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.009072