Trang in
IRF520NPBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 9.7 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Through Hole
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
87,529 có sẵn
Bạn cần thêm?
2794 Giao hàng trong 2 ngày làm việc(Singapore có sẵn)
84735 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$0.735 |
| 10+ | US$0.436 |
| 100+ | US$0.406 |
| 500+ | US$0.363 |
| 1000+ | US$0.342 |
| 5000+ | US$0.334 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$0.74
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIRF520NPBF
Mã Đặt Hàng9103031
Được Biết Đến NhưSP001571310
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id9.7A
Drain Source On State Resistance0.2ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation47W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
The IRF520NPBF is a N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
- Dynamic dv/dt rating
- Fully avalanche rated
- Advanced process technology
Ứng Dụng
Power Management
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
9.7A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
47W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.2ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 3 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.002041