Trang in
IRF60DM206
Power MOSFET, StrongIRFET™, N Channel, 60 V, 130 A, 2900 µohm, DirectFET ME, Surface Mount
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIRF60DM206Sao chép
Mã Đặt Hàng
Loại cuộn theo nhu cầu2781110RL
Cắt Băng2781110
Phạm vi sản phẩmStrongIRFET Series
Được Biết Đến NhưSP001561876
Mã sản phẩm của bạn
Không còn hàng
Tùy Chọn Đóng Gói
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIRF60DM206Sao chép
Mã Đặt Hàng
Loại cuộn theo nhu cầu2781110RL
Cắt Băng2781110
Phạm vi sản phẩmStrongIRFET Series
Được Biết Đến NhưSP001561876
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id130A
Drain Source On State Resistance2900µohm
Transistor Case StyleDirectFET ME
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.7V
Power Dissipation96W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeStrongIRFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Sản phẩm thay thế cho IRF60DM206
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Tổng Quan Sản Phẩm
IRF60DM206 is a DirectFET® N-channel power MOSFET. Application includes brushed motor drive applications, BLDC motor drive applications, battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, resonant mode power supplies, OR-ing and redundant power switches, DC/DC and AC/DC converters, DC/AC inverters.
- Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dv/dt and di/dt capability
- Drain-to-source breakdown voltage is 60V (Min, VGS = 0V, ID = 250µA, TJ = 25°C)
- Static drain-to-source on-resistance is 2.2mohm (typ, VGS = 10V, ID = 80A, TJ = 25°C)
- Continuous drain current, VGS at 10V is 130A (max, ID at TC = 25°C)
- Gate-to-source forward leakage is 100nA/-100nA (max, VGS = 20V/VGS = -20V, TC = 25°C)
- Internal gate resistance is 0.8ohm (typ, TC = 25°C)
- Turn-on delay time is 17ns (typ, VDD = 30V, TJ = 25°C)
- DirectFET® ME package, operating junction and storage temperature range from -55 to +150°C
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
130A
Transistor Case Style
DirectFET ME
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
96W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
2900µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.7V
No. of Pins
8Pins
Product Range
StrongIRFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (3)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000256