Trang in
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.

Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIRF6611TR1Sao chép
Mã Đặt Hàng1078408
Mã sản phẩm của bạn
Không còn hàng
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIRF6611TR1Sao chép
Mã Đặt Hàng1078408
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id32A
Drain Source On State Resistance2600µohm
Transistor Case StyleDirectFET MX
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.25V
Power Dissipation3.9W
No. of Pins5Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
32A
Transistor Case Style
DirectFET MX
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3.9W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
2600µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.25V
No. of Pins
5Pins
Product Range
-
MSL
MSL 3 - 168 hours
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Mexico
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Mexico
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Chờ thông báo
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.0005
