Trang in
IRF6629TR1PBF
Power MOSFET, N Channel, 25 V, 29 A, 2100 µohm, DirectFET MX, Surface Mount
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIRF6629TR1PBFSao chép
Mã Đặt Hàng1388584
Mã sản phẩm của bạn
Không còn hàng
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIRF6629TR1PBFSao chép
Mã Đặt Hàng1388584
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds25V
Continuous Drain Current Id29A
Drain Source On State Resistance2100µohm
Transistor Case StyleDirectFET MX
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
Power Dissipation2.8mW
No. of Pins5Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
29A
Transistor Case Style
DirectFET MX
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.8mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
25V
Drain Source On State Resistance
2100µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
No. of Pins
5Pins
Product Range
-
MSL
MSL 3 - 168 hours
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Mexico
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Mexico
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Chờ thông báo
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.001